Grado | 3N, 3N5, 4N, con Ta 99.99% min |
Recristalización | 95% min |
Tamaño del grano | ASTM 4 o más fino |
Acabado superficial | 16Rms máx. o Ra 0,4 (RMS64 o mejor) |
Plasa | 0,1mm o 0.15% Max |
Tolerancia | +/-0.010 "en todas las dimensiones |
Tantalio Sputtering Target se suelda con cobre de nuevo objetivo, y luego se lleva a cabo la pulverización de semiconductores u óptica para depositar átomos de tantalio en el material del sustrato para realizar el recubrimiento de pulverización. Los objetivos de tantalio se utilizan principalmente en revestimiento de semiconductores, revestimiento óptico y otras industrias. En la industria de los semiconductores, el metal (Ta) se utiliza actualmente para formar una capa de barrera por deposición física de vapor (PVD).
Pureza alta:Con un nivel de pureza superior al 99.97%, los objetivos de pulverización de tantalio de Changsheng Titanium garantizan una contaminación mínima, lo que lleva a la producción de productos confiables y de alta calidad.
Densidad máxima:Estos objetivos de pulverización de tantalio cuentan con una densidad máxima de más de 98%. Esta alta densidad garantiza una pulverización eficiente, que es crucial para mejorar la calidad de la deposición de la película delgada.
Microestructura homogénea y composición química:Los objetivos de pulverización de tantalio de Changsheng Titanium exhiben una microestructura homogénea y una composición química. Esta uniformidad garantiza velocidades de pulverización constante, lo que lleva a una deposición uniforme de película delgada, que es vital para el rendimiento del producto final.
Además del objetivo de pulverización de tantalio, también podemos proporcionar Aleación de tantalio-silicio, aleación de tantalio-aluminio, aleación de tantalio-tungsteno, aleación de níquel-tantalio, aleación de cobalto-circonio-tantalio, nitruro de tantalio, carburo de tantalio, boruro de tantalio, pentóxido de tantalio y otros objetivos de pulverización catódica.